Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Осінський В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
1. |
Ляхова Н. М. Моделювання темплетних наноструктур [Електронний ресурс] / Н. М. Ляхова, В. І. Осінський, О. В. Семеновська, Н. О. Суховій, В. І. Тимофєєв, О. М. Фалєєва // Electronics and communications. - 2014. - Т. 19, № 5. - С. 32-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2014_19_5_8 Мета даних досліджень - знаходження оптимальних параметрів наноутворень для зменшення проростаючих дислокацій в темплетних наноструктурах. Досліджено вплив розмірів темплетів на щільність дислокацій зміщення наноструктур, встановлено залежність висоти проростаючої дислокації від її радіуса, а також досліджено вплив розузгодження гратки наноструктури на умовно-бездислокаційний рельєф темплетних напівпровідникових наноутворень.
| 2. |
Осінський В. І. Лазерні та фотонні джерела світла для фотомедицини [Електронний ресурс] / В. І. Осінський, С. В. Павлов, С. Є. Тужанський, О. С. Камінський, А. В. Темчишена // Фотобіологія та фотомедицина. - 2010. - Т. 7, № 3-4. - С. 91-97. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ftf_2010_7_3-4_16
| 3. |
Осінський В. І. Аналіз та перспективи застосування лазерних та світлодіодних джерел світла на квантово-розмірних структурах для фотомедицини [Електронний ресурс] / В. І. Осінський, С. В. Павлов, С. Є. Тужанський, О. С. Камінський // Фотобіологія та фотомедицина. - 2010. - Т. 7, № 1-2. - С. 104-109. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ftf_2010_7_1-2_23
| 4. |
Суховій Н. О. Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів [Електронний ресурс] / Н. О. Суховій, Н. М. Ляхова, І. В. Масол, В. І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. - 2018. - Т. 20, № 3. - С. 13–20. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rzod_2018_20_3_4 Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<< 10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів III-нітридів. Зокрема, для епітаксіпних шарів p-GaN засвідчено низьку щільність проростаючих дислокацій (~5 x 10<^>6 см<^>-2) і продемонстровано, що УФ-GaN-фотодіоди Шоткі на таких нанотемплетах мали більш крутий довгохвильовий (375 - 475 нм) крап нормованої фоточутливості порівняно з фотодіодами без них. Проаналізовано придатність таких нанотемплетів для шарів акумулювання енергії, зокрема, для формування шарів низькодефектного нітриду бору, в які інкапсулюється графен, для виготовлення суперконденсаторів, а також для формування нанокарбідів і консолідованих фаз AlCN або BCN в MOCVD-реакторі в потоці триметилу алюмінію або триетилу бору відповідно, на поверхні таких нанотемплетів.
|
|
|